SCT025W120G3-4
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 56 ARDS(on) 27 mΩ
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 56 A in an HiP247-4 package
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SCT025W120G3-4 主要参数
来源:原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 56 A |
| RDS(on) | 27 mΩ |
技术文档
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替代料
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