SCT025W120G3-4

量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 56 ARDS(on) 27 mΩ

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 56 A in an HiP247-4 package

手册
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SCT025W120G3-4 主要参数

来源:原厂数据手册
VDS1200 V
ID56 A
RDS(on)27 mΩ

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