UJ3N120070K3S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 70 mΩ封装 TO247
Silicon Carbide (SiC) JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, TO247‐3, 1200 V, 70 mohm
- 封装
- TO247
- 手册
- 10 页 · 513 KB
UJ3N120070K3S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 70 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO247 |
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替代料
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