UJ3N065025K3S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 25 mΩ封装 TO247
Silicon Carbide (SiC) JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, TO247‐3, 650 V, 25 mohm
- 封装
- TO247
- 手册
- 9 页 · 397 KB
UJ3N065025K3S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 25 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO247 |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 UJ3N065025K3S 的替代料信息。