UJ3D1210KSD

量产SiC / GaN 宽禁带器件封装 TO247

Silicon Carbide (SiC) Diode – EliteSiC, TO247‐3, 10 A, 1200 V SiC Merged PiN‐Schottky (MPS) Dual Diode

封装
TO247
手册
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UJ3D1210KSD 主要参数

来源:原厂数据手册
封装TO247

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