UG3SC120009K4S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 8.8 mΩ封装 TO247
Silicon Carbide (SiC) Combo JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, TO247‐4, 1200 V, 8.8 mohm
- 封装
- TO247
- 手册
- 13 页 · 674 KB
UG3SC120009K4S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 8.8 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO247 |
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