UF4SC120023K4S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 23 mΩ封装 TO247
Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET – EliteSiC, Power N-Channel, TO247‐4, 1200 V, 23 mohm
- 封装
- TO247
- 手册
- 12 页 · 533 KB
UF4SC120023K4S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 23 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO247 |
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替代料
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