UF3C170400B7S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 410 mΩ封装 TO-263-7
Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, TO‐263‐7, 1700 V, 410 mohm
- 封装
- TO-263-7
- 手册
- 12 页 · 566 KB
UF3C170400B7S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 410 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO-263-7 |
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