UF3C120080K4S

量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 80 mΩ封装 TO247

Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, TO247‐4, 1200 V, 80 mohm

封装
TO247
手册
12 页 · 492 KB

资料有误或侵权?反馈给我们

UF3C120080K4S 主要参数

来源:原厂数据手册
RDS(on)80 mΩ
封装TO247

技术文档

1 份文档

替代料

0 个
暂未收录 UF3C120080K4S 的替代料信息。