NVH4L012N065M3S
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 12 mΩ封装 TO247
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M3S, TO247‐4L
- 封装
- TO247
- 手册
- 11 页 · 442 KB
NVH4L012N065M3S 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 12 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO247 |
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