NTH4L060N090SC1
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 60 mΩ封装 TO-247
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L
- 封装
- TO-247
- 手册
- 7 页 · 890 KB
NTH4L060N090SC1 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 60 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO-247 |
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