NTH4L040N120SC1
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 40 mΩ封装 TO-247
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
- 封装
- TO-247
- 手册
- 8 页 · 331 KB
NTH4L040N120SC1 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 40 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO-247 |
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替代料
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