NTH4L028N170M1
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 28 mΩ封装 TO-247
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L
- 封装
- TO-247
- 手册
- 8 页 · 275 KB
NTH4L028N170M1 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 28 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO-247 |
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