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安森美 TO SOIC 清除筛选
  • NVH4L020N090SC1

    Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L

    厂商 安森美封装 TO-247RDS(on) 20 mΩ封装 TO-247
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  • NVH4L020N120SC1

    Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

    厂商 安森美封装 TO-247RDS(on) 20 mΩ封装 TO-247
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  • NVH4L022N120M3S车规级AEC-Q101

    Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

    厂商 安森美封装 TO-247RDS(on) 22 mΩ封装 TO-247
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  • NVHL020N090SC1

    Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-3L

    厂商 安森美封装 TO-247RDS(on) 20 mΩ封装 TO-247
    1 份文档
  • NVHL020N120SC1

    Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L

    厂商 安森美封装 TO-247RDS(on) 20 mΩ封装 TO-247
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  • NCS21911车规级AEC-Q100

    Precision Operational Amplifier, 25 μV Offset, Zero‐Drift, 36 V Supply, 2 MHz

    厂商 安森美封装 SOIC-8输入电压 4 ~ 36 V封装 SOIC-8
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  • NV24C04LV工业级

    EEPROM, Serial, 4-Kb I2C , Low Voltage Automotive Grade 1

    厂商 安森美封装 SOIC8工作温度 -40 ~ 125 °C封装 SOIC8
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  • NV24C08LV工业级

    EEPROM, Serial, 8-Kb I2C, Low Voltage Automotive Grade 1

    厂商 安森美封装 SOIC8工作温度 -40 ~ 125 °C封装 SOIC8
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  • NV24C64车规级AEC-Q100

    64 Kb I2C CMOS Serial EEPROM

    厂商 安森美封装 SOIC-8封装 SOIC-8
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  • PN200A

    / MMBT200 — PNP General-Purpose Amplifier

    厂商 安森美封装 TO-92封装 TO-92
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  • PN2907A

    Preferred Device

    厂商 安森美封装 TO-92封装 TO-92
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  • NTHL012N065M3S

    Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12.2 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

    厂商 安森美封装 TO-247RDS(on) 12.2 mΩ封装 TO-247
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  • UJ3D1210K2

    Silicon Carbide (SiC) Diode – EliteSiC, TO247‐2, 10 A, 1200 V SiC Merged PiN‐Schottky (MPS) Diode

    厂商 安森美封装 TO247封装 TO247
    1 份文档
  • UJ3D1220K2

    Silicon Carbide (SiC) Diode – EliteSiC, TO247‐2, 20 A, 1200 V SiC Merged PiN‐Schottky (MPS) Diode

    厂商 安森美封装 TO247封装 TO247
    1 份文档
  • UJ3D1250K2

    Silicon Carbide (SiC) Diode – EliteSiC, TO247‐2, 50 A, 1200 V SiC Merged PiN‐Schottky (MPS) Diode

    厂商 安森美封装 TO247封装 TO247
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  • UJ3D1725K2

    Silicon Carbide (SiC) Diode – EliteSiC, TO247‐2, 25 A, 1700 V SiC Merged PiN‐Schottky (MPS) Diode

    厂商 安森美封装 TO247封装 TO247
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  • NDSH20120C

    Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L

    厂商 安森美封装 TO-247封装 TO-247
    1 份文档
  • NDSH20120C-F155

    Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L

    厂商 安森美封装 TO-247封装 TO-247
    1 份文档
  • NDSH20120CDN

    Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-3L

    厂商 安森美封装 TO-247封装 TO-247
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  • NDSH25170A

    Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 25 A, 1700 V, D1, TO-247-2L

    厂商 安森美封装 TO-247封装 TO-247
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