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  • SOC2222AHR军工/航天级RHA

    Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor

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  • LEO1N5811军工/航天级AEC-Q101RHA

    Rad-hard 150 V, 6 A ultrafast rectifier in SOD128Flat package

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 175 °C
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  • LEO1N5819军工/航天级AEC-Q101RHA

    Rad-hard 45 V, 1 A Schottky rectifier in SOD128Flat package

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 150 °C
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  • LEO1N5822军工/航天级AEC-Q101RHA

    Rad-hard 40 V, 3 A Schottky rectifier in SOD128Flat package

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 150 °C
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  • Field Effect Transistor - Dual, N-Channel, Enhancement Mode

    厂商 安森美工作温度 25 ~ 55 °C
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  • P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

    厂商 安森美工作温度 25 ~ 55 °C
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  • MOSFET – P‐Channel, POWERTRENCH 60 V

    厂商 安森美封装 SOIC8工作温度 25 ~ 55 °C封装 SOIC8
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  • Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

    厂商 安森美工作温度 25 ~ 55 °C
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  • 厂商 安森美工作温度 0 ~ 70 °C
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  • Bipolar Transistor

    厂商 安森美工作温度 25 ~ 55 °C
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  • Bipolar Transistor

    厂商 安森美工作温度 25 ~ 55 °C
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  • Bipolar Transistor, -160 V, -1.5 A, Low VCE(sat) PNP Single LFPAK

    厂商 安森美工作温度 25 ~ 55 °C
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  • Bipolar Transistor, 160 V, 1.5 A, Low VCE(sat) NPN Single LFPAK

    厂商 安森美工作温度 25 ~ 55 °C
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  • Power MOSFET −8.0 V, −4.6 A Dual P−Channel ChipFET

    厂商 安森美工作温度 25 ~ 55 °CVDS 8 V
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  • NPN Low‐Saturation Transistor

    厂商 安森美封装 SOT-223工作温度 25 ~ 40 °C封装 SOT-223
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  • Schottky Barrier Diode 30 V, 1 A, Low IR

    厂商 安森美工作温度 0 ~ 25 °C
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  • 厂商 安森美工作温度 0 ~ 70 °C
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