NTHD2102P
量产MOSFET工作温度 25 ~ 55 °CVDS 8 VID 4.6 A
Power MOSFET −8.0 V, −4.6 A Dual P−Channel ChipFET
- 手册
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NTHD2102P 主要参数
来源:原厂数据手册| 工作温度 | 25 ~ 55 °C |
|---|---|
| VDS | 8 V |
| ID | 4.6 A |
技术文档
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替代料
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Power MOSFET −8.0 V, −4.6 A Dual P−Channel ChipFET
| 工作温度 | 25 ~ 55 °C |
|---|---|
| VDS | 8 V |
| ID | 4.6 A |