SH70M12W3AG
量产SiC / GaN 宽禁带器件VDS 1200 VID 28 ARDS(on) 67 mΩ封装 ACEPACK
Automotive-grade ACEPACK SMIT half-bridge topology featuring 1200 V, 67 mΩ typ., 28 A SiC Power MOSFET
- 封装
- ACEPACK
- 手册
- 14 页 · 975 KB
SH70M12W3AG 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 1200 V |
|---|---|
| ID | 28 A |
| RDS(on) | 67 mΩ |
| 封装 | ACEPACK |
技术文档
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替代料
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