UF4SC120009K4SH
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 9.1 mΩ封装 TO247
Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET - EliteSiC, Power N-Channel, TO247-4LH, 1200 V, 9.1 mohm
- 封装
- TO247
- 手册
- 12 页 · 560 KB
UF4SC120009K4SH 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 9.1 mΩ |
|---|---|
| 封装 | TO247 |
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