NTBG028N170M1
量产SiC / GaN 宽禁带器件RDS(on) 28 mΩ封装 D2PAK
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L
- 封装
- D2PAK
- 手册
- 8 页 · 280 KB
NTBG028N170M1 主要参数
来源：原厂数据手册| RDS(on) | 28 mΩ |
|---|---|
| 封装 | D2PAK |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
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