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排序相关度热度型号 A-Z
安森美 TO SOT 清除筛选
  • NSB13211DW6

    T1G contains a single PNP bias resistor transistor

    厂商 安森美封装 SOT-363封装 SOT-363
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  • NST847BPDP6

    Dual Complementary General Purpose Transistor

    厂商 安森美封装 SOT-23封装 SOT-23
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  • NSTB1002DXV5

    Dual Common Base‐Collector Bias Resistor Transistors

    厂商 安森美封装 SOT-553封装 SOT-553
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  • SB007-03C

    Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOT-23封装 SOT-23
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  • SB007-03Q

    Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOT-323封装 SOT-323
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  • SB01-05C

    Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOT-23封装 SOT-23
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  • SB01-05Q

    Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOT-323封装 SOT-323
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  • SB01-15C

    Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOT-23封装 SOT-23
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  • SB02-09C

    Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOT-23封装 SOT-23
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  • SB05-03C

    Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOT-23封装 SOT-23
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  • SB05-03Q

    Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOT-323封装 SOT-323
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  • SB05-05C

    Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOT-23封装 SOT-23
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  • SB05W05C

    Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOT-23封装 SOT-23
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  • SB10-05P

    厂商 安森美封装 SOT-89封装 SOT-89
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  • SB1003M3

    Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOT-323封装 SOT-323
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  • SB3003CH

    Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOT-26封装 SOT-26
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  • SBS822

    Schottky Barrier Diode

    厂商 安森美封装 SOT-353封装 SOT-353
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  • UF3C065080B7S

    Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, TO‐263‐7, 650 V, 85 mohm

    厂商 安森美封装 TO-263-7RDS(on) 85 mΩ封装 TO-263-7
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  • UF3C120080B7S

    Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET – EliteSiC, Power N‐Channel, TO‐263‐7, 1200 V, 85 mohm

    厂商 安森美封装 TO-263-7RDS(on) 85 mΩ封装 TO-263-7
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  • UF3C120150B7S

    Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET - EliteSiC, Power N-Channel, TO-263-7, 1200 V, 150 mohm

    厂商 安森美封装 TO-263-7RDS(on) 150 mΩ封装 TO-263-7
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