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  • LEO1N5811军工/航天级AEC-Q101RHA

    Rad-hard 150 V, 6 A ultrafast rectifier in SOD128Flat package

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 175 °C
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  • LEO1N5819军工/航天级AEC-Q101RHA

    Rad-hard 45 V, 1 A Schottky rectifier in SOD128Flat package

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 150 °C
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  • LEO1N5822军工/航天级AEC-Q101RHA

    Rad-hard 40 V, 3 A Schottky rectifier in SOD128Flat package

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 150 °C
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  • STO355N10F8AG车规级AEC-Q101

    Automotive N‑channel 100 V, 1.6 mΩ max., 366 A STripFET F8 Power MOSFET in a TO‑LL package

    厂商 意法半导体VDS 100 VID 366 A
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  • STGO30H60DLLFBAG车规级AEC-Q101

    Automotive-grade trench gate field-stop, 600 V, 30 A, high-speed HB series IGBT in‌‌ a TO‑LL package

    厂商 意法半导体VDS 600 VID 30 A
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  • EMIF02-02OABRY车规级AEC-Q101

    厂商 意法半导体工作温度 -40 ~ 125 °C
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  • TSB582车规级AEC-Q101

    200 mA output current with thermal shutdown and output current limiter, 3.1 MHz, 36 V, BiCMOS dual operational amplifier

    厂商 意法半导体封装 SO8工作温度 -40 ~ 125 °C输入电压 4 ~ 36 V
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  • TSX582车规级AEC-Q101

    200 mA, output current with thermal shutdown and output current limiter, 3 MHz, 16 V, dual operational amplifier

    厂商 意法半导体封装 SO8工作温度 -40 ~ 125 °C输入电压 5 ~ 16 V
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