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  • TSB571工业级

    Low-power, 2.5 MHz, RR IO, 36 V BiCMOS operational amplifier

    厂商 意法半导体封装 DFN8工作温度 -40 ~ 125 °C输入电压 4 ~ 36 V
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  • MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 4.8 mOhm, 132 A

    厂商 安森美封装 DFN5VDS 100 VID 132 A
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  • MOSFET — Power, Single, N-Channel 100 V, 8 mΩ, 104 A

    厂商 安森美封装 DFN5VDS 100 VID 104 A
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  • MOSFET – Power, Single, N-Channel 100 V, 15 m , 50 A

    厂商 安森美封装 DFN5VDS 100 VID 50 A
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  • Single N-Channel Power MOSFET, 100 V, 4.8 mOhm, 145 A

    厂商 安森美封装 DFN5VDS 100 VID 145 A
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  • Power MOSFET, 4 mOhm, 145 A, Single N-Channel

    厂商 安森美封装 DFN5RDS(on) 4 mΩ封装 DFN5
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  • Single N-Channel Power MOSFET, 100 V, 8.7 mOhm, 114 A

    厂商 安森美封装 DFN5VDS 100 VID 114 A
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  • Power MOSFET

    厂商 安森美封装 DFN5封装 DFN5
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  • Single N-Channel Power MOSFET, 100 V, 15 mOhm, 55 A

    厂商 安森美封装 DFN5VDS 100 VID 55 A
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  • Power MOSFET - 100 V, 13 mOhms, 55 A, Single N-Channel

    厂商 安森美封装 DFN5VDS 100 VID 55 A
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  • Power MOSFET 100 V, 24 mOhms, 33 A, Single N-Channel

    厂商 安森美封装 DFN5VDS 100 VID 33 A
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  • 厂商 安森美封装 DFN5封装 DFN5
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  • Power MOSFET 100 V, 46 mOhms, 19 A, Single N-Channel

    厂商 安森美封装 DFN5VDS 100 VID 19 A
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  • High bandwidth (20 MHz for gain ≥ 4) micro-power (820 µA) rail-to-rail 5 V op amps

    厂商 意法半导体封装 DFN8封装 DFN8
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  • STEL12H24工业级

    Electronic switch for 12 V, 5 V and 3.3 V buses

    厂商 意法半导体封装 DFN12工作温度 -40 ~ 125 °C封装 DFN12
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  • MOSFET — Power, P-Channel, Schottky Diode, Schotty Barrier Diode, FETKY, DFN6 -20 V, -3.9 A, 2.0 A

    厂商 安森美封装 DFN6VDS 20 VID 3.9 A
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  • Integrated Power MOSFET

    厂商 安森美封装 DFN8封装 DFN8
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