SH32N65DM6AG

量产IGBT / 功率模块VDS 650 VID 32 ARDS(on) 89 mΩ封装 ACEPACK

Automotive-grade N-channel 650 V, 89 mΩ typ., 32 A MDmesh DM6 half‑bridge topology Power MOSFET in an ACEPACK SMIT package

封装
ACEPACK
手册
14 页 · 472 KB

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SH32N65DM6AG 主要参数

来源:原厂数据手册
VDS650 V
ID32 A
RDS(on)89 mΩ
封装ACEPACK

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