SH32N65DM6AG
量产IGBT / 功率模块VDS 650 VID 32 ARDS(on) 89 mΩ封装 ACEPACK
Automotive-grade N-channel 650 V, 89 mΩ typ., 32 A MDmesh DM6 half‑bridge topology Power MOSFET in an ACEPACK SMIT package
- 封装
- ACEPACK
- 手册
- 14 页 · 472 KB
SH32N65DM6AG 主要参数
来源:原厂数据手册| VDS | 650 V |
|---|---|
| ID | 32 A |
| RDS(on) | 89 mΩ |
| 封装 | ACEPACK |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
0 个暂未收录 SH32N65DM6AG 的替代料信息。