NTMD6N04R2
量产MOSFETVDS 40 VID 5.8 A封装 SOIC-8
MOSFET — Power, Dual N-Channel, SOIC-8 40 V, 5.8 A
- 封装
- SOIC-8
- 手册
- 8 页 · 202 KB
NTMD6N04R2 主要参数
来源:原厂数据手册| VDS | 40 V |
|---|---|
| ID | 5.8 A |
| 封装 | SOIC-8 |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
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MOSFET — Power, Dual N-Channel, SOIC-8 40 V, 5.8 A
| VDS | 40 V |
|---|---|
| ID | 5.8 A |
| 封装 | SOIC-8 |