NTB6412AN
量产MOSFETVDS 100 VID 58 ARDS(on) 18.2 mΩ封装 D2PAK
MOSFET – Power, N‐Channel 100 V, 58 A, 18.2 mΩ
- 封装
- D2PAK
- 手册
- 10 页 · 284 KB
NTB6412AN 主要参数
来源：原厂数据手册| VDS | 100 V |
|---|---|
| ID | 58 A |
| RDS(on) | 18.2 mΩ |
| 封装 | D2PAK |
技术文档
1 份文档数据手册
替代料
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MOSFET – Power, N‐Channel 100 V, 58 A, 18.2 mΩ
| VDS | 100 V |
|---|---|
| ID | 58 A |
| RDS(on) | 18.2 mΩ |
| 封装 | D2PAK |
